Larga trayectoria científica de Gregorio Hernández Cocoletzi: un referente en materiales

Gregorio Hernández Cocoletzi, investigador del Instituto de Física "Luis Rivera Terrazas" (IFUAP), ha sido honrado con el Premio a la Trayectoria Científica en el Área de Ciencias de Superficies y Materiales "Francisco Mejía Lira", reconociendo así más de 30 años de dedicación a la ciencia y la academia.

Como académico nivel III del Sistema Nacional de Investigadores, ha publicado 180 artículos en revistas de renombre, como Physical Review B, Physical Review Letters y Surface Science Reports. Además, ha escrito tres capítulos de libros y tres libros de divulgación, inicialmente en español y luego traducidos a su lengua materna, el náhuatl, con recientes traducciones a otras lenguas, incluyendo el quechua de Perú y el aimara de Bolivia.

Durante la XVI Conferencia Internacional sobre Superficies, Materiales y Vacío, celebrada recientemente, Hernández Cocoletzi fue distinguido por la Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Este premio se suma a otros importantes galardones, como el Premio a la Mejor Tesis Doctoral en 1991 y el Premio Estatal de Ciencia y Tecnología en 2006.

Gregorio Hernández Cocoletzi es egresado de la Licenciatura en Física de la BUAP, con estudios de maestría y doctorado en Física en la Facultad de Ciencias de la UNAM. Luego realizó una estancia de investigación en la Universidad de Ohio, Estados Unidos, y se unió al Sistema Nacional de Investigadores en 1987, solo dos años después de su creación.

En la actualidad, como miembro del Cuerpo Académico Consolidado "Física computacional de la materia condensada" del IFUAP, lleva a cabo un año sabático en el Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, donde investiga la interacción y formación de nanoestructuras metálicas en superficies semiconductoras.

Hernández Cocoletzi y su equipo se centran en el estudio de las propiedades físicas de superficies, considerando el depósito de metales sobre semiconductores y la incorporación de metales de transición en estructuras semiconductoras. Los resultados de su investigación sugieren aplicaciones prácticas en dispositivos nanoelectrónicos y nanoespintrónicos.